• English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Menu
  • English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Search
  • English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Menu
  • English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Search
Close
Home Berita

Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB

  • OLEH Najib
  • 6:12 pm
  • 31/01/2019
  • Komen
Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB
Share on FacebookShare on Twitter

Samsung merupakan salah satu peneraju dalam teknologi memori dan ini dikukuhkan lagi apabila mereka mengumumkan storan eUFS 2.1 sebesar 1TB, pertama di dalam sejarah memori storan mudah alih. Ia bukan pengumuman untuk memperkenalkan, sebaliknya ia memberitahu dunia tentang penghasilan secara besar-besaran dan akan mula digunakan di pelbagai produk pengguna tahun ini.

Cip memori eUFS 2.1 boleh digunakan di peranti mudah alih seperti telefon pintar. Storan 1TB ini diperoleh dengan menggunakan saiz pakej yang sama seperti 512GB, berukuran 11.5mmx13.0mm, tetapi dengan menggabungkan 16 lapisan memori kilat V-NAND. Ia dipadankan dengan proprietary controller yang baru dibangunkan.



Dengan storan 1TB, pengguna telefon pintar boleh menyimpan sehingga 260 video 4K UHD berurasi 10 minit, berbanding hanya 13 video 4K UHD dalam storan 64GB, yang digunakan pda kebanyakan telefon pintar flagship masakini.

Kelajuan membaca dan menulis cip eUFS 1TB ini amat pantas, membolehkan penghantaran data bersaiz besar dalam masa yang singkat. Kelajuan tulisan rawak 500x lebih pantas dari kad mikroSD berkelajuan tinggi, sesuai untuk kegunaan merakam video pelbagai setinggi 960 bingkai sesaat. Rujuk jadual di bawah untuk perbandingan.



Storan Memori Kelajuan Membaca Berurutan Kelajuan Menulis Berurutan Kelajuan Membaca Rawak Kelajuan Menulis Rawak
Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan 2019) 1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov 2017) 860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung eUFS 2.1 otomatif (Sep 2017) 850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
Kad Samsung 256GB UFS (Jul 2016) 530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
Kad Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb 2016) 850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
Kad Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan 2015) 350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s 90MB/s 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s 50MB/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS

Samsung merancang untuk mengembangkan operasi penghasilan V-NAND 512GB generasi ke-5 mereka di kilang Pyeongtaek di Korea pada pertengahan pertama 2019. Ia dibuat untuk memenuhi permintaan tinggi yang dijangka datang dari pengeluar telefon pintar di seluruh dunia.

[Sumber: Samsung]

Tags: 1TBsamsungUFS
Najib

Najib

POPULAR

Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB

Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB

31 January 2019
Honor X6c tiba di Malaysia, telefon murah tahan lasak dengan butang AI boleh suai

Honor X6c tiba di Malaysia, telefon murah tahan lasak dengan butang AI boleh suai

13 June 2025
Tarif TNB Baharu Julai 2025: Apa Kesan Pada Bil Elektrik Anda?

Tarif TNB Baharu Julai 2025: Apa Kesan Pada Bil Elektrik Anda?

21 June 2025
Realme C71 akan dilancar pada 12 Jun, hadir dengan bateri 6,300mAh & kamera 50MP

Realme C71 rasmi di Malaysia, telefon bawah RM500 dengan bateri besar 6,300mAh

12 June 2025
Garmin Forerunner 570 & 970 kini di Malaysia, jam kecergasan AMOLED dengan fungsi ECG

Garmin Forerunner 570 & 970 kini di Malaysia, jam kecergasan AMOLED dengan fungsi ECG

19 June 2025
Redmi Pad 2 dilancar, tablet murah dengan skrin 11″ 90Hz & bateri besar 9,000mAh

Redmi Pad 2 dilancar, tablet murah dengan skrin 11″ 90Hz & bateri besar 9,000mAh

20 June 2025

Copyright © 2023 · SoyaCincau.com
Mind Blow Sdn Bhd (1076827-P)

  • URUSAN PENGIKLANAN
  • DISCLAIMER

Copyright © 2023 · SoyaCincau.com – Mind Blow Sdn Bhd (1076827-P)3

  • URUSAN PENGIKLANAN
  • DISCLAIMER