• English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Menu
  • English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Search
  • English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Menu
  • English
  • 中文版
  • Berita
  • Feature
    • Reviu Produk
    • Tips & Tricks
  • Telefon Pintar
  • Telco
  • Komponen PC
Search
Close
Home Berita

Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB

  • OLEH Najib
  • 6:12 pm
  • 31/01/2019
  • Komen
Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB
Share on FacebookShare on Twitter

Samsung merupakan salah satu peneraju dalam teknologi memori dan ini dikukuhkan lagi apabila mereka mengumumkan storan eUFS 2.1 sebesar 1TB, pertama di dalam sejarah memori storan mudah alih. Ia bukan pengumuman untuk memperkenalkan, sebaliknya ia memberitahu dunia tentang penghasilan secara besar-besaran dan akan mula digunakan di pelbagai produk pengguna tahun ini.

Cip memori eUFS 2.1 boleh digunakan di peranti mudah alih seperti telefon pintar. Storan 1TB ini diperoleh dengan menggunakan saiz pakej yang sama seperti 512GB, berukuran 11.5mmx13.0mm, tetapi dengan menggabungkan 16 lapisan memori kilat V-NAND. Ia dipadankan dengan proprietary controller yang baru dibangunkan.



Dengan storan 1TB, pengguna telefon pintar boleh menyimpan sehingga 260 video 4K UHD berurasi 10 minit, berbanding hanya 13 video 4K UHD dalam storan 64GB, yang digunakan pda kebanyakan telefon pintar flagship masakini.

Kelajuan membaca dan menulis cip eUFS 1TB ini amat pantas, membolehkan penghantaran data bersaiz besar dalam masa yang singkat. Kelajuan tulisan rawak 500x lebih pantas dari kad mikroSD berkelajuan tinggi, sesuai untuk kegunaan merakam video pelbagai setinggi 960 bingkai sesaat. Rujuk jadual di bawah untuk perbandingan.



Storan Memori Kelajuan Membaca Berurutan Kelajuan Menulis Berurutan Kelajuan Membaca Rawak Kelajuan Menulis Rawak
Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan 2019) 1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov 2017) 860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung eUFS 2.1 otomatif (Sep 2017) 850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
Kad Samsung 256GB UFS (Jul 2016) 530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
Kad Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb 2016) 850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
Kad Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan 2015) 350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s 90MB/s 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s 50MB/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS

Samsung merancang untuk mengembangkan operasi penghasilan V-NAND 512GB generasi ke-5 mereka di kilang Pyeongtaek di Korea pada pertengahan pertama 2019. Ia dibuat untuk memenuhi permintaan tinggi yang dijangka datang dari pengeluar telefon pintar di seluruh dunia.

[Sumber: Samsung]

Tags: 1TBsamsungUFS
Najib

Najib

POPULAR

realme 15 Pro: Peneman AI Terbaik untuk Setiap Detik Malam

realme 15 Pro: Peneman AI Terbaik untuk Setiap Detik Malam

18 September 2025
eKYC sebelum 20 Disember 2024 atau akses TNG eWallet anda dihalang

BUDI95: Ini cara beli RON95 pada harga RM1.99/L guna TNG eWallet

23 September 2025
Yes tawar iPhone 17 Pro paling mampu milik di Malaysia, dapatkan sekarang

Yes tawar iPhone 17 Pro paling mampu milik di Malaysia, dapatkan sekarang

20 September 2025
Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB

Samsung pecah rekod hasilkan cip UFS 1TB

31 January 2019
Xiaomi 17 Pro Max disahkan ada skrin kedua & diperkasa Snapdragon 8 Elite Gen 5

Xiaomi 17 Pro Max disahkan ada skrin kedua & diperkasa Snapdragon 8 Elite Gen 5

17 September 2025
Gabungan ketahanan, kelancaran & gaya dalam satu telefon, itulah OPPO A6 Pro 5G

Gabungan ketahanan, kelancaran & gaya dalam satu telefon, itulah OPPO A6 Pro 5G

24 September 2025

Copyright © 2023 · SoyaCincau.com
Mind Blow Sdn Bhd (1076827-P)

  • URUSAN PENGIKLANAN
  • DISCLAIMER

Copyright © 2023 · SoyaCincau.com – Mind Blow Sdn Bhd (1076827-P)3

  • URUSAN PENGIKLANAN
  • DISCLAIMER