Samsung merupakan salah satu peneraju dalam teknologi memori dan ini dikukuhkan lagi apabila mereka mengumumkan storan eUFS 2.1 sebesar 1TB, pertama di dalam sejarah memori storan mudah alih. Ia bukan pengumuman untuk memperkenalkan, sebaliknya ia memberitahu dunia tentang penghasilan secara besar-besaran dan akan mula digunakan di pelbagai produk pengguna tahun ini.
Cip memori eUFS 2.1 boleh digunakan di peranti mudah alih seperti telefon pintar. Storan 1TB ini diperoleh dengan menggunakan saiz pakej yang sama seperti 512GB, berukuran 11.5mmx13.0mm, tetapi dengan menggabungkan 16 lapisan memori kilat V-NAND. Ia dipadankan dengan proprietary controller yang baru dibangunkan.
Dengan storan 1TB, pengguna telefon pintar boleh menyimpan sehingga 260 video 4K UHD berurasi 10 minit, berbanding hanya 13 video 4K UHD dalam storan 64GB, yang digunakan pda kebanyakan telefon pintar flagship masakini.
Kelajuan membaca dan menulis cip eUFS 1TB ini amat pantas, membolehkan penghantaran data bersaiz besar dalam masa yang singkat. Kelajuan tulisan rawak 500x lebih pantas dari kad mikroSD berkelajuan tinggi, sesuai untuk kegunaan merakam video pelbagai setinggi 960 bingkai sesaat. Rujuk jadual di bawah untuk perbandingan.
| Storan Memori | Kelajuan Membaca Berurutan | Kelajuan Menulis Berurutan | Kelajuan Membaca Rawak | Kelajuan Menulis Rawak |
| Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan 2019) | 1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov 2017) | 860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung eUFS 2.1 otomatif (Sep 2017) | 850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| Kad Samsung 256GB UFS (Jul 2016) | 530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| Kad Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb 2016) | 850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Kad Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan 2015) | 350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
Samsung merancang untuk mengembangkan operasi penghasilan V-NAND 512GB generasi ke-5 mereka di kilang Pyeongtaek di Korea pada pertengahan pertama 2019. Ia dibuat untuk memenuhi permintaan tinggi yang dijangka datang dari pengeluar telefon pintar di seluruh dunia.
[Sumber: Samsung]
