TSMC telah secara rasminya mengumumkan yang mereka sedang membangunkan teknologi penghasilan cip untuk kategori 2nm. Dirujuk sebagai proses N2, kilang fabrikasi semikonduktor antara terbesar di dunia itu turut katakan yang mereka akan meninggalkan transistor jenis MOSFET. Jenis transistor ini digunakan sejak 62 tahun yang lalu.
Untuk 2N, mereka sedang menerokai transistor berasaskan nanosheet yang mereka namakan sebagai nanosheet-based gate-all-around field-effect transistor (GAAFET).
Transister jenis baharu ini dikatakan TSMC membawakan beberapa manfaat berbanding MOSFET. Dua manfaat utama adalah peningkatan prestasi untuk setiap watt tenaga yang digunakan. Angka yang dikongsikan adalah N2 berprestasi sehingga 15% lebih baik dan cekap tenaga sehingga 30%.
Disebabkan saiz transistor yang kian mengecil, kepadatan transistor per unit luas juga dipertingkat melebihi 1.1x berbanding teknologi 3nm.
TSMC berkongsikan sedikit garis masa tentang proses N2 ini. Mereka kini sedang menghasilkan cip N2 secara kecil-kecilan. Penghasilan secara pukal dijangkakan dalam separuh 2 tahun 2025.
Sekiranya semua berjalan lancar, kita boleh lihat produk yang menggunakan produk ini lewat 2025.
Sumber: Anandtech
