Dalam acara Foundry Forum 2021 yang berlangsung di China, Samsung Foundry telah mempamerkan peta laluan pembangunan SoC mereka yang terbaharu dan didapati mereka telah mengemas kini perancangan untuk litografi 3nm.
Daripada rajah yang dikongsikan pihak pengilang, produk berlitografi 3nm akan memasuki pasaran seawal 2023, setahun lebih lambat daripada yang dijadualkan. Dalam tahun 2019 dulu, Samsung mengumumkan yang paling awal mereka mampu menghasilkan cip 3nm ialah 2022.
Tidaklah diketahui apakah sebab penundaan ini kerana mereka sudahpun membelanjakan ratusan billion untuk membina kilang semikonduktor baru untuk produk 3nm ini.
Produk 3nm Samsung yang akan datang ini menggunakan teknologi multi-bridge channel field effect transistors (MBCFETs) yang baharu dalam penghasilan transistor berbanding TSMC yang masih menggunakan FinFET pada litografi 3nm mereka.
Penggunaan teknologi FinFET yang dilihat ramai lebih selamat kerana terbukti kemejadiannya mungkin telah menyebabkan klien-klien besar cenderung untuk berpihak kepada TSMC untuk menempah cip masing-masing.
Contohnya, Apple dan Intel dilaporkan akan menjadi dua entiti terawal memanfaatkan teknologi 3nm TSCM bagi menghasilkan pemproses produk masing-masing.
Daripada rajah yang sama juga, pengeluaran semikonduktor Samsung untuk tahun 2021 akan menumpukan pada litografi 4nm LPP yang katanya akan menjadi tunjang kepada Snapdragon 895 dan Exynos 2200.
Di pihak pengguna seperti saya, apa yang boleh kita jangkakan adalah peningkatan prestasi dan kecekapan tenaga pada setiap perubahan angka nanometer. Misalnya di 3nm TSCM, mereka melaporkan yang prestasi dipertingkat sehingga 15% manakala kecekapa tenaga dipertingkat sehingga 30% berbanding 5nm.
Sumber: AnandTech
